Toshiba Field Effect Transistor N Channel MOS Type für Audio Anwendungen
Sie bieten auf 1 Stück Toshiba FET N Channel MOS Type 2SK1530 for High Power Amplifier Application
Menge: 1 Stück
Bezeichnung: 2SK1530 Y (F)
Drain−source voltage VDSS: 200 V
Drain current ID: 12 A (use devices on condition that the channel temperature is below 150°C)
Drain power dissipation PD: 150 W
VGS (OFF) Classification: Y: 1.4~2.8
Funktion: TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
Applications: High Power Amplifier Application
Complementary to: 2SJ201
Hersteller: Toshiba
Zustand: neu, Original Herstellerware
Achtung: ESD-empfindliches Bauteil
Auslieferung erfolgt in ESD-sicherer Verpackung
Toshiba 2SK1530 Field Effect Transistor N Channel MOS Type für Audio Anwendungen
Toshiba FET N Channel MOS Type 2SK1530 for High Power Amplifier Application
Menge: 1 Stück
Bezeichnung: 2SK1530 Y (F)
Technische Daten:
- Drain−source voltage VDSS: 200 V
- Drain current ID: 12 A (use devices on condition that the channel temperature is below 150°C)
- Drain power dissipation PD: 150 W
- VGS (OFF) Classification: Y: 1.4~2.8
- Funktion: TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
- Applications: High Power Amplifier Application
- Complementary to: 2SJ201
- Hersteller: Toshiba
- Zustand: neu, Original Herstellerware
- Achtung: ESD-empfindliches Bauteil
- Auslieferung: erfolgt in ESD-sicherer Verpackung
Datenblatt