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Toshiba 2SJ313 Y MOS-FET P Channel

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Toshiba 2SJ313 Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type für Audio Anwendungen

Toshiba 2SJ313 MOS-FET Type  P-Channel for High Power Amplifier Application

Menge: 1 Stück

Bezeichnung: 2SJ313 Y (Q)


Technische Daten:

- Drain−source voltage VDSS: -180 V
- Drain current ID: -1 A (use devices on condition that the channel temperature is below 150°C)
- Drain power dissipation PD: 25 W
- VGS (OFF) Classification: Y: 0,8~2.8
- Funktion: TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 
- Applications: High Power Amplifier Application 
- Complementary to: 2SK2013
- Hersteller: Toshiba

Zustand: neu, Original Herstellerware

Achtung: ESD-empfindliches Bauteil

Auslieferung erfolgt in ESD-sicherer Verpackung

 

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