Toshiba 2SJ313 Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type für Audio Anwendungen
Toshiba 2SJ313 MOS-FET Type P-Channel for High Power Amplifier Application
Menge: 1 Stück
Bezeichnung: 2SJ313 Y (Q)
Technische Daten:
- Drain−source voltage VDSS: -180 V
- Drain current ID: -1 A (use devices on condition that the channel temperature is below 150°C)
- Drain power dissipation PD: 25 W
- VGS (OFF) Classification: Y: 0,8~2.8
- Funktion: TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
- Applications: High Power Amplifier Application
- Complementary to: 2SK2013
- Hersteller: Toshiba
Zustand: neu, Original Herstellerware
Achtung: ESD-empfindliches Bauteil
Auslieferung erfolgt in ESD-sicherer Verpackung